在中美貿易摩擦和市場需求的雙重刺激下，國家層面和行業企業均開始推進半導體核心技術國產自主化，實現供應鏈安全可控，加速了半導體器件的國產化替代進程。
日前，又有消息稱，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021～2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。
“國家計劃把大力支持發展第三代半導體產業寫進目前正在制定的‘十四五’規劃中，必將推動第三代半導體材料、器件和應用技術的大力發展。”華微電子表示，第三代半導體技術，我國與國外在技術上差距小，大力發展第三代半導體能夠使我們具有擁有和國際巨頭齊頭并進和換道超車的條件。
國家支持
為推動半導體產業發展，增強產業創新能力和國際競爭力，帶動傳統產業改造和產品升級換代，進一步促進國民經濟持續、快速、健康發展，近些年來，中央及地方政府推出了一系列鼓勵和支持半導體產業發展的政策。
日前，中國共產黨第十九屆中央委員會第五次全體會議通過了《中共中央關于制定國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和二O三五年遠景目標的建議》(以下簡稱“建議”)。建議中明確指出，將瞄準人工智能、量子信息、集成電路、生命健康、腦科學、生物育種、空天科技、深地深海等前沿領域，實施一批具有前瞻性、戰略性的國家重大科技項目，以此來強化國家戰略科技力量。
對此，業內又有消息稱，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入正在制定中的“十四五”規劃，計劃在2021~2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期實現產業獨立自主。
事實上，此前工業和信息化部也表示，積極考慮將5G、集成電路、生物醫藥等重點領域納入“十四五”國家專項規劃，進一步引導企業突破核心技術，依托重大科技專項、制造業高質量發展專項等加強關鍵核心技術和產品攻關，加強技術領域國際合作，有力有效解決“卡脖子”問題，為構建現代化經濟體系、實現經濟高質量發展提供有力支撐。
在南京世界半導體大會暨第三代半導體產業發展高峰論壇上，國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露：國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃都已經明確，第三代半導體是重要發展方向，現在到了動議討論實施方案的階段。
“國家計劃把大力支持發展第三代半導體產業寫進目前正在制定的‘十四五’規劃中，必將推動第三代半導體材料、器件和應用技術的大力發展。”華微電子表示，我國在第三代半導體技術方面起步相對國外要晚，在材料、器件等關鍵技術上還有瓶頸，目前的環境下推動了相關第三代半導體技術的研究和企業發展，這對解決和推進關鍵技術、加大研發和生產資金投入有積極作用。
彎道超車
半導體產業的發展歷程，其先后經歷了以硅(Si)為代表的第一代半導體材料，以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導體材料，在20世紀，這兩代半導體材料為工業進步、社會發展做出了巨大貢獻。而如今，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導體雖處于初期階段，但是市場已經顯示出了巨大的需求。
作為一類新型寬禁帶半導體材料，第三代半導體材料在許多應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優點，如具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點，可實現高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力。因此，第三代半導體在電力電子方面有廣闊的應用前景，可以廣泛應用于5G通信、工業機電、軌道交通、消費電子等領域，應用前景廣闊、市場容量增長潛力巨大。
國家知識產權局學術委員會編寫的第三代半導體產業專利分析報告內的數據顯示，2017年，碳化硅、氮化鎵在電力電子器件市場規模合計達2.9億~3.3億美元，意味著2017年第三代半導體電力電子器件的市場占有率已經達到2.2%~2.5%，在2020年將超過10億美元，并將于2025年達到37億美元。
也有觀點認為，由于第三代半導體材料及應用產業發明并實用于本世紀初年，各國的研究水平相差不遠，還未形成規模壟斷，在第三代半導體光電子材料和器件領域與國際先進水平相比處于并跑狀態，在市場需求和產業化水平方面處于領跑狀態，隨著國家戰略層面支持力度的加大，加上在5G、新能源汽車、能源互聯網、軌道交通、國防軍備等下游應用領域快速發展帶動下，第三代半導體產業將成為未來半導體產業發展的重要引擎。
因此，業界普遍認為，國內企業積極準備，主動布局，是一個順應產業和技術潮流的事情。及早布局，可以避免目前以硅為代表的二代半導體產業的被動局面。
“第三代半導體技術，我國與國外在技術上差距小，大力發展第三代半導體能夠使我們具有和國際巨頭齊頭并進和換道超車的條件。”華微電子也認為，伴隨科技創新浪潮席卷全球，新能源汽車及充電樁、5G等新一代通信技術、光伏等飛速發展，半導體行業發展空間巨大。同時這些應用也對功率半導體提出了新的要求，第三代半導體以其優異的性能和潛力，成為電力電子器件發展的新趨勢。
積極布局
在過去的兩年，受益于整個半導體行業宏觀政策利好、資本市場追捧、地方積極推進、企業廣泛進入等因素，第三代半導體產業穩步發展，涌現了第三代半導體材料投資熱潮。
不過，第三代半導體并非是在第一代、第二代半導體的技術上進行一種簡單的迭代，而是一個全新的技術架構。這要求真正有能力、有自主知識產權的企業能夠沉淀下來去做這件事。
在過去的半個多世紀中，華微電子持續突破諸多關鍵技術，加速推動功率半導體器件的國產化替代，助力我國工業強基與民族產業發展，成為具有國際競爭力的功率半導體企業。
“最大的瓶頸是原材料。”華微電子表示，我國原材料的質量、制備問題亟待破解；另外相關材料制備的關鍵設備依靠進口；SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平還有差距；其應用技術的研究比較關鍵，若相關配套技術及產品跟不上，第三代半導體的材料及器件的作用和效率可能會發揮不好。
作為首家國內功率半導體器件領域上市公司，華微電子堅持生產一代、儲備一代、研發一代的技術開發戰略，早已積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件的研發、制造。
在5G、新能源汽車、能源互聯網、軌道交通、國防軍備等下游應用領域快速發展帶動下，第三代半導體產業將成為未來半導體產業發展的重要引擎。因此，業界普遍認為，國內企業積極準備，主動布局，是一個順應產業和技術潮流的事情。及早布局，可以避免目前以硅為代表的二代半導體產業的被動局面。
“目前SiC產品已經可以提供二極管產品、GaN器件可以提供快充使用的FET。”華微電子表示，下一步，將進一步發揮公司的IDM模式的優勢，集中精力研究三代半導體的關鍵產品技術和應用技術，完善相關生產線開發和制造能力，為消費類、工業和汽車電子領域提供優異的三代半導體電力電子器件。
為擴大公司生產線，2019年，華微電子以每股3.90元價格公開發行2.1億股（占發行后總股本22.08%），募集資金總額8.3億元，用于新型電力電子器件基地項目（二期）投資。
華微電子介紹，新型電力電子器件基地項目（二期）建成以后能夠有力地補充公司的產品種類和提升產品性能。二期項目規劃的產品主要是中低壓MOSFET、IGBT和超結MOSFET產品，主要應用市場是電池保護、電動工具、基站電源、工業控制、充電樁和汽車電子，在這些領域華微電子產品技術儲備完善，建成后可以快速發揮IDM模式的優勢，快速提升產品線的盈利能力。在當前國產化替代趨勢的環境下，有望快速突破高端領域。
“未來，第三代半導體將與第一代、第二代半導體技術互補發展，對節能減排、產業轉型升級、催生新的經濟增長點發揮重要作用。”業內人士認為，在國家全面推行“中國智造”大背景下，人工智能、新能源汽車、5G通信等越來越受到重視，第三代半導體材料受益于這些產業的發展，將邁進發展快車道，同時，以華微電子為代表的半導體企業也將獲得長遠發展。
《中國經營報》記者王登海北京報道
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